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TF262TH-4-TL-H

TF262TH-4-TL-H

僅供參考

型號 TF262TH-4-TL-H
PNEDA編號 TF262TH-4-TL-H
描述 JFET N-CH 1MA 100MW
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.6222
500 ---------- $0.5930
1,000 ---------- $0.5639
2,500 ---------- $0.5347
5,000 ---------- $0.5104
10,000 ---------- $0.4861
庫存 18,857
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF262TH-4-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF262TH-4-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF262TH-4-TL-H, TF262TH-4-TL-H數據表 (總頁數: 6, 大小: 977.16 KB)
PDFTF262TH-5-TL-H數據表 封面
TF262TH-5-TL-H數據表 頁面 2 TF262TH-5-TL-H數據表 頁面 3 TF262TH-5-TL-H數據表 頁面 4 TF262TH-5-TL-H數據表 頁面 5 TF262TH-5-TL-H數據表 頁面 6

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TF262TH-4-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)140µA @ 2V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID200mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.5pF @ 2V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝VTFP

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

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