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TK10V60W,LVQ

TK10V60W,LVQ

僅供參考

型號 TK10V60W,LVQ
PNEDA編號 TK10V60W-LVQ
描述 MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK10V60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK10V60W,LVQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK10V60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 300V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)88.3W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-DFN-EP (8x8)
包裝/箱4-VSFN Exposed Pad

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

525pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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