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TK20N60W5,S1VF

TK20N60W5,S1VF

僅供參考

型號 TK20N60W5,S1VF
PNEDA編號 TK20N60W5-S1VF
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK20N60W5資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK20N60W5,S1VF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK20N60W5規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)165W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

8W (Tc)

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