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TK20S04K3L(T6L1,NQ

TK20S04K3L(T6L1,NQ

僅供參考

型號 TK20S04K3L(T6L1,NQ
PNEDA編號 TK20S04K3L-T6L1-NQ
描述 MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK20S04K3L(T6L1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK20S04K3L(T6L1,NQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK20S04K3L(T6L1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds820pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK+
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7580pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 110µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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