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TPCA8102(TE12L,Q,M

TPCA8102(TE12L,Q,M

僅供參考

型號 TPCA8102(TE12L,Q,M
PNEDA編號 TPCA8102-TE12L-Q-M
描述 MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
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TPCA8102(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCA8102(TE12L,Q,M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPCA8102(TE12L, TPCA8102(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 256.1 KB)
PDFTPCA8102(TE12L數據表 封面
TPCA8102(TE12L數據表 頁面 2 TPCA8102(TE12L數據表 頁面 3 TPCA8102(TE12L數據表 頁面 4 TPCA8102(TE12L數據表 頁面 5 TPCA8102(TE12L數據表 頁面 6 TPCA8102(TE12L數據表 頁面 7

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TPCA8102(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs109nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4600pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Ta), 10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

28V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.14W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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