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TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG

僅供參考

型號 TSM6502CR RLG
PNEDA編號 TSM6502CR-RLG
描述 MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 20,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM6502CR RLG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM6502CR RLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TSM6502CR RLG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
功率-最大40W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1885pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 100µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 10V

功率-最大

900mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 15V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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