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TT8J3TR

TT8J3TR

僅供參考

型號 TT8J3TR
PNEDA編號 TT8J3TR
描述 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TT8J3TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TT8J3TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TT8J3TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs84mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 15V
功率-最大1.25W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-TSST

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1082pF @ 10V

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6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 6V

功率-最大

1.4W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1.4W

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