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TT8K11TCR

TT8K11TCR

僅供參考

型號 TT8K11TCR
PNEDA編號 TT8K11TCR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TT8K11TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TT8K11TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TT8K11TCR, TT8K11TCR數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,233.71 KB)
PDFTT8K11TCR數據表 封面
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TT8K11TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs71mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1A
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-TSST

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 25V

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120mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 20V

功率-最大

3W, 3.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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