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ULN2002D1013TR

ULN2002D1013TR

僅供參考

型號 ULN2002D1013TR
PNEDA編號 ULN2002D1013TR
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 50,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2002D1013TR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2002D1013TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ULN2002D1013TR, ULN2002D1013TR數據表 (總頁數: 17, 大小: 723.98 KB)
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ULN2002D1013TR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SO

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

375mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

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NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

180MHz, 140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

550mW

頻率-過渡

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工作溫度

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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