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UPA2660T1R-E2-AX

UPA2660T1R-E2-AX

僅供參考

型號 UPA2660T1R-E2-AX
PNEDA編號 UPA2660T1R-E2-AX
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UPA2660T1R-E2-AX資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UPA2660T1R-E2-AX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
UPA2660T1R-E2-AX, UPA2660T1R-E2-AX數據表 (總頁數: 7, 大小: 261.71 KB)
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UPA2660T1R-E2-AX規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs62mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 10V
功率-最大2.3W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerWDFN
供應商設備包裝6-HUSON (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

205pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 40mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

644nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 1000V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.4nC @ 10V

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