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US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

僅供參考

型號 US1GHE3_A/H
PNEDA編號 US1GHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 217,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1GHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1GHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1GHE3_A/H, US1GHE3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.17 KB)
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US1GHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4500V

電流-平均整流(Io)

4450A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 2500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25mA @ 4500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

18pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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