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US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

僅供參考

型號 US1KHE3_A/I
PNEDA編號 US1KHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1KHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1KHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1KHE3_A/I, US1KHE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.17 KB)
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US1KHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

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