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US6K4TR

US6K4TR

僅供參考

型號 US6K4TR
PNEDA編號 US6K4TR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6K4TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6K4TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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US6K4TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 25V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1270pF @ 10V

功率-最大

650mW

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 5V

功率-最大

272mW

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