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VS-86HFR10

VS-86HFR10

僅供參考

型號 VS-86HFR10
PNEDA編號 VS-86HFR10
描述 DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-86HFR10資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-86HFR10
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-86HFR10, VS-86HFR10數據表 (總頁數: 9, 大小: 140.28 KB)
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VS-86HFR10規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 267A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr9mA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 180°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 520V

電容@ Vr,F

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30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

430mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

23ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

900µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

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