VS-GB200TH120N
僅供參考
型號 | VS-GB200TH120N |
PNEDA編號 | VS-GB200TH120N |
描述 | IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK |
制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 2,646 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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VS-GB200TH120N資源
品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | VS-GB200TH120N |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-模塊 |
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VS-GB200TH120N規格
制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
系列 | - |
IGBT類型 | - |
配置 | Half Bridge |
電壓-集電極發射極擊穿(最大值) | 1200V |
當前-集電極(Ic)(最大值) | 360A |
功率-最大 | 1136W |
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
當前-集電極截止(最大值) | 5mA |
輸入電容(Cies)@ Vce | 14.9nF @ 25V |
輸入 | Standard |
NTC熱敏電阻 | No |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Chassis Mount |
包裝/箱 | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
供應商設備包裝 | Double INT-A-PAK |
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