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VS-SD600N32PC

VS-SD600N32PC

僅供參考

型號 VS-SD600N32PC
PNEDA編號 VS-SD600N32PC
描述 DIODE GEN PURP 3.2KV 600A B8
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD600N32PC資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD600N32PC
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-SD600N32PC, VS-SD600N32PC數據表 (總頁數: 8, 大小: 190.96 KB)
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VS-SD600N32PC規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)3200V
電流-平均整流(Io)600A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.44V @ 1500A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr35mA @ 3200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱B-8
供應商設備包裝B-8
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 250mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 15V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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1000V

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

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制造商

Rohm Semiconductor

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550nA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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