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VSB3200-M3/54

VSB3200-M3/54

僅供參考

型號 VSB3200-M3/54
PNEDA編號 VSB3200-M3-54
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VSB3200-M3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VSB3200-M3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VSB3200-M3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr60µA @ 200V
電容@ Vr,F175pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

3A

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420mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

24ns

當前-反向泄漏@ Vr

44µA @ 45V

電容@ Vr,F

830pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

CFP15

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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