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W25N01GVZEIT TR

W25N01GVZEIT TR

僅供參考

型號 W25N01GVZEIT TR
PNEDA編號 W25N01GVZEIT-TR
描述 IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25N01GVZEIT TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25N01GVZEIT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W25N01GVZEIT TR, W25N01GVZEIT TR數據表 (總頁數: 69, 大小: 1,172.09 KB)
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W25N01GVZEIT TR規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (8x6)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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256Mb (32M x 8, 16M x 16)

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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