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ZHB6718TC

ZHB6718TC

僅供參考

型號 ZHB6718TC
PNEDA編號 ZHB6718TC
描述 TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZHB6718TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZHB6718TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZHB6718TC, ZHB6718TC數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,529.76 KB)
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ZHB6718TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
當前-集電極(Ic)(最大值)2.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 50mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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