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ZTD09N50DE6QTA

ZTD09N50DE6QTA

僅供參考

型號 ZTD09N50DE6QTA
PNEDA編號 ZTD09N50DE6QTA
描述 TRANS 2NPN 50V 1A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTD09N50DE6QTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTD09N50DE6QTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZTD09N50DE6QTA, ZTD09N50DE6QTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 240.79 KB)
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ZTD09N50DE6QTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡215MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-26

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

-

安裝類型

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

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Surface Mount

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 100µA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

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