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ZTX855STOA

ZTX855STOA

僅供參考

型號 ZTX855STOA
PNEDA編號 ZTX855STOA
描述 TRANS NPN 150V 4A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX855STOA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX855STOA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX855STOA, ZTX855STOA數據表 (總頁數: 7, 大小: 314.7 KB)
PDFZTX855STOB數據表 封面
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ZTX855STOA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic260mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 5V
功率-最大1.2W
頻率-過渡90MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 8A, 5V

功率-最大

250W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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