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ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC

僅供參考

型號 ZXMC3A16DN8TC
PNEDA編號 ZXMC3A16DN8TC
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMC3A16DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMC3A16DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMC3A16DN8TC, ZXMC3A16DN8TC數據表 (總頁數: 10, 大小: 312.23 KB)
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ZXMC3A16DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A, 4.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds796pF @ 25V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

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