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ZXTN19020DGTA

ZXTN19020DGTA

僅供參考

型號 ZXTN19020DGTA
PNEDA編號 ZXTN19020DGTA
描述 TRANS NPN 20V 9A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 20,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN19020DGTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN19020DGTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN19020DGTA, ZXTN19020DGTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 901.41 KB)
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ZXTN19020DGTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)9A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 450mA, 9A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 100mA, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡160MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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