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描述
庫存
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MT48LC8M8A2P-7E:G
MT48LC8M8A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存8,514
MT48LC8M8A2P-7E:J
MT48LC8M8A2P-7E:J

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,938
MT48LC8M8A2P-7E:J TR
MT48LC8M8A2P-7E:J TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,038
MT48LC8M8A2P-7E L:G
MT48LC8M8A2P-7E L:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,662
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存4,500
MT48LC8M8A2TG-75:G TR
MT48LC8M8A2TG-75:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存6,534
MT48LC8M8A2TG-75 L:G
MT48LC8M8A2TG-75 L:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存5,058
MT48LC8M8A2TG-7E L:G
MT48LC8M8A2TG-7E L:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存7,812
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 64Mb (8M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: 14ns
  • 訪問時間: 5.4ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 54-TSOP II
庫存3,544
MT48V4M32LFB5-10:G
MT48V4M32LFB5-10:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存4,500
MT48V4M32LFB5-10:G TR
MT48V4M32LFB5-10:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存6,660
MT48V4M32LFB5-10 IT:G
MT48V4M32LFB5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,938
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,416
MT48V4M32LFB5-8:G
MT48V4M32LFB5-8:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,220
MT48V4M32LFB5-8:G TR
MT48V4M32LFB5-8:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,452
MT48V4M32LFB5-8 IT:G
MT48V4M32LFB5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存3,870
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,110
MT48V4M32LFB5-8 XT:G
MT48V4M32LFB5-8 XT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -20°C ~ 75°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存3,870
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -20°C ~ 75°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存8,856
MT48V4M32LFF5-10:G
MT48V4M32LFF5-10:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,652
MT48V4M32LFF5-10 IT:G
MT48V4M32LFF5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,200
MT48V4M32LFF5-8:G
MT48V4M32LFF5-8:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存5,598
MT48V4M32LFF5-8:G TR
MT48V4M32LFF5-8:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存8,586
MT48V4M32LFF5-8 IT:G
MT48V4M32LFF5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存8,964
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存6,192
MT48V8M16LFB4-10:G
MT48V8M16LFB4-10:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存8,352
MT48V8M16LFB4-10:G TR
MT48V8M16LFB4-10:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存2,610
MT48V8M16LFB4-10 IT:G
MT48V8M16LFB4-10 IT:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存6,912
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 100MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存8,622
MT48V8M16LFB4-8:G
MT48V8M16LFB4-8:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPSDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 125MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 7ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 54-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 54-VFBGA (8x8)
庫存8,912