內存IC

型號	描述	庫存
MT49H16M18BM-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,176
MT49H16M18BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,268
MT49H16M18BM-33 Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,052
MT49H16M18BM-33 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,372
MT49H16M18BM-5:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,690
MT49H16M18BM-5:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,438
MT49H16M18CBM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,938
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,456
MT49H16M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,878
MT49H16M18CBM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,338
MT49H16M18CFM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,418
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,842
MT49H16M18CFM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,366
MT49H16M18CFM-5 IT Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,680
MT49H16M18CSJ-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存6,588
MT49H16M18CSJ-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存2,106
MT49H16M18CSJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存3,366
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,820
MT49H16M18CTR-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,312
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,618
MT49H16M18FM-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,654
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,878
MT49H16M18FM-25 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,258
MT49H16M18FM-33:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,538
MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,778
MT49H16M18FM-33 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,100
MT49H16M18SJ-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存3,960
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存2,142
MT49H16M18SJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存2,142
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (16M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存5,616

MT49H16M18BM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,176

MT49H16M18BM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,268

MT49H16M18BM-33

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,052

MT49H16M18BM-33 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存6,372

MT49H16M18BM-5:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,690

MT49H16M18BM-5:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,438

MT49H16M18CBM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,938

MT49H16M18CBM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,456

MT49H16M18CBM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,878

MT49H16M18CBM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,338

MT49H16M18CFM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,418

MT49H16M18CFM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,842

MT49H16M18CFM-33:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,366

MT49H16M18CFM-5 IT

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,680

MT49H16M18CSJ-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存6,588

MT49H16M18CSJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存2,106

MT49H16M18CSJ-25 IT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
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庫存3,366

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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庫存8,820

MT49H16M18CTR-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
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寫周期-字，頁: -
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,312

MT49H16M18FM-25:B

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,618

MT49H16M18FM-25 IT:B

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存3,654

MT49H16M18FM-25 IT:B TR

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,878

MT49H16M18FM-25 TR

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存3,258

MT49H16M18FM-33:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,538

MT49H16M18FM-33:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,778

MT49H16M18FM-33 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,100

MT49H16M18SJ-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
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寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存3,960

MT49H16M18SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存2,142

MT49H16M18SJ-25 IT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存2,142

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (16M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

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