內存IC

70P255L90BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 128Kb (8K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P255L90BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 128Kb (8K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P259L65BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 128Kb (8K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 65ns
• 訪問時間: 65ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P259L65BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 128Kb (8K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 65ns
• 訪問時間: 65ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P259L90BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 128Kb (8K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P259L90BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 128Kb (8K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P264L40BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 40ns
• 訪問時間: 40ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 81-TFBGA
• 供應商設備包裝: 81-CABGA (5x5)

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70P264L40BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 40ns
• 訪問時間: 40ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 81-TFBGA
• 供應商設備包裝: 81-CABGA (5x5)

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70P264L55BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 81-TFBGA
• 供應商設備包裝: 81-CABGA (5x5)

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70P264L55BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 81-TFBGA
• 供應商設備包裝: 81-CABGA (5x5)

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70P265L65BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 65ns
• 訪問時間: 65ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P265L65BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 65ns
• 訪問時間: 65ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P265L90BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P265L90BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P269L65BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 65ns
• 訪問時間: 65ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P269L65BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 65ns
• 訪問時間: 65ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P269L90BYGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P269L90BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 256Kb (16K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 90ns
• 訪問時間: 90ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TFBGA
• 供應商設備包裝: 100-CABGA (6x6)

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70P3519S166BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70P3519S166BCG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70P3519S166BCGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70P3519S166BCGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70P3519S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70P3519S200BCG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3319S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3319S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70T3319S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3319S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70T3319S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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70T3319S133BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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