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描述
庫存
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IS61NLP25636A-200TQLI
IS61NLP25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存6,084
IS61NLP25636A-200TQLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,172
IS61NLP25636B-200B3LI
IS61NLP25636B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存4,536
IS61NLP25636B-200B3LI-TR
IS61NLP25636B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,436
IS61NLP25636B-200TQLI
IS61NLP25636B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 200MHZ

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存2,412
IS61NLP25636B-200TQLI-TR
IS61NLP25636B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 200MHZ

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (256K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
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  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存2,736
IS61NLP25672-200B1
IS61NLP25672-200B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
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  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存5,256
IS61NLP25672-200B1I
IS61NLP25672-200B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
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  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存8,874
IS61NLP25672-200B1I-TR
IS61NLP25672-200B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存7,182
IS61NLP25672-200B1LI
IS61NLP25672-200B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
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  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存6,948
IS61NLP25672-200B1LI-TR
IS61NLP25672-200B1LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
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  • 內存接口: Parallel
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  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存2,376
IS61NLP25672-200B1-TR
IS61NLP25672-200B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
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  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存3,726
IS61NLP25672-250B1
IS61NLP25672-250B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
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  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存6,678
IS61NLP25672-250B1I
IS61NLP25672-250B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
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  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存6,930
IS61NLP25672-250B1I-TR
IS61NLP25672-250B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
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  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存6,354
IS61NLP25672-250B1-TR
IS61NLP25672-250B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (256K x 72)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
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  • 訪問時間: 2.6ns
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  • 包裝/箱: 209-BGA
  • 供應商設備包裝: 209-LFBGA (14x22)
庫存4,968
IS61NLP51218A-200TQLI
IS61NLP51218A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,010
IS61NLP51218A-200TQLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
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  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存4,986
IS61NLP51218B-200TQLI
IS61NLP51218B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 200MHZ

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存8,928
IS61NLP51218B-200TQLI-TR
IS61NLP51218B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 200MHZ

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 9Mb (512K x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)
庫存8,766
IS61NLP51236-200B3
IS61NLP51236-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存846
IS61NLP51236-200B3I
IS61NLP51236-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存8,604
IS61NLP51236-200B3I-TR
IS61NLP51236-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,510
IS61NLP51236-200B3LI
IS61NLP51236-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存3,994
IS61NLP51236-200B3LI-TR
IS61NLP51236-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,668
IS61NLP51236-200B3-TR
IS61NLP51236-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存6,876
IS61NLP51236-200TQLI
IS61NLP51236-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存8,640
IS61NLP51236-200TQLI-TR
IS61NLP51236-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.1ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)
庫存2,934
IS61NLP51236-250B3
IS61NLP51236-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存7,092
IS61NLP51236-250B3I
IS61NLP51236-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR
  • 內存大小: 18Mb (512K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 2.6ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)
庫存5,346