晶體管

型號	描述	庫存
APT5510JFLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5823pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 463W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,588
APT5518BFLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 15.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3286pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 403W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,358
APT55M50JFLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 77A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 38.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 265nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,860
APT55M65JFLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 31.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 595W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,768
APT56F50B2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存4,392
APT56F50L Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存3,204
APT56F60B2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存5,706
APT56F60L Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,448
APT56M50B2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存8,478
APT56M50L Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 780W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,434
APT56M60B2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存6,084
APT56M60L Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 56A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存8,766
APT58F50J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存2,556
APT58M50J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,246
APT58M50JCU2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 543W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存2,196
APT58M50JCU3 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 543W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,462
APT58M50JU2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 543W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,698
APT58M50JU3 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 543W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,600
APT58M80J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 570nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,372
APT58MJ50J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,632
APT5F100K Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1409pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 225W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,010
APT5SM170B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V TO247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 249pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,436
APT5SM170S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存2,196
APT6017B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存3,168
APT6017LFLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,992
APT6030BN Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS IV® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,654
APT6040BN Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS IV® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,870
APT6040BNG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS IV® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,298
APT60M60JFLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 289nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,966
APT60M60JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 289nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,166

APT5510JFLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5823pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 463W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,588

APT5518BFLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 31A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3286pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 403W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,358

APT55M50JFLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 77A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 38.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 265nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,860

APT55M65JFLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 595W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,768

APT56F50B2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 56A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存4,392

APT56F50L

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 56A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存3,204

APT56F60B2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存5,706

APT56F60L

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 60A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,448

APT56M50B2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存8,478

APT56M50L

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 56A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,434

APT56M60B2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存6,084

APT56M60L

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 56A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存8,766

APT58F50J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存2,556

APT58M50J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,246

APT58M50JCU2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 543W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存2,196

APT58M50JCU3

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 543W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,462

APT58M50JU2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 543W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,698

APT58M50JU3

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 543W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,600

APT58M80J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 570nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,372

APT58MJ50J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,632

APT5F100K

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1409pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 225W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,010

APT5SM170B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V TO247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 249pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,436

APT5SM170S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存2,196

APT6017B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存3,168

APT6017LFLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,992

APT6030BN

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS IV®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,654

APT6040BN

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS IV®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,870

APT6040BNG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS IV®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,298

APT60M60JFLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 289nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,966

APT60M60JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 289nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,166

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