晶體管

型號	描述	庫存
APT7M120S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2565pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 335W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,336
APT8014JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 285nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7238pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 595W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,762
APT8018JN Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS IV® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 690W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,946
APT8020B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存6,948
APT8020JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存5,166
APT8024B2LLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 565W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存8,370
APT8024JLL Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 14.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,462
APT8024LLLG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 565W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存2,970
APT8024LVRG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 33A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 16.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 425nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,632
APT8075BN Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS IV® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,718
APT80F60J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 598nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23994pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 961W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,838
APT80M60J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 600nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: ISOTOP® 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存3,294
APT80SM120B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 POWER MOSFET - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 555W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,316
APT80SM120J Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 POWER MOSFET - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 273W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存6,552
APT80SM120S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 POWER MOSFET - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,688
APT84F50B2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 84A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存5,400
APT84F50L Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存7,236
APT84M50B2 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存2,826
APT84M50L Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,968
APT8M100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1885pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,684
APT8M80K Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1335pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 225W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 [K] 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,402
APT94N60L2C3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 94A TO264 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 94A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 640nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 833W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: 264 MAX™ [L2] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,606
APT94N65B2C3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 94A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 580nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13940pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 833W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存2,700
APT94N65B2C6 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 35.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 320nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8140pF @ 25V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 833W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2] 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存4,878
APT97N65LC6 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 97A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 48.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 2.96mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 862W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264 [L] 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存4,140
APT9F100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2606pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 337W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,510
APT9F100S Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2606pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 337W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D3Pak 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	庫存4,374
APT9M100B Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2605pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 335W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 [B] 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,464
APTC60DAM18CTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 143A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 71.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1036nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 833W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存3,580
APTC60DAM24CT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 95A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 462W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SP4 包裝/箱: SP4	庫存3,672

APT7M120S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2565pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 335W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,336

APT8014JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 285nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7238pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 595W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,762

APT8018JN

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS IV®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,946

APT8020B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存6,948

APT8020JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存5,166

APT8024B2LLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 565W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存8,370

APT8024JLL

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,462

APT8024LLLG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 565W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存2,970

APT8024LVRG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 33A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 425nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,632

APT8075BN

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS IV®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,718

APT80F60J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 598nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23994pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 961W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,838

APT80M60J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 600nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: ISOTOP®
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存3,294

APT80SM120B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

POWER MOSFET - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 555W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,316

APT80SM120J

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

POWER MOSFET - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 273W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存6,552

APT80SM120S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

POWER MOSFET - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 235nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,688

APT84F50B2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存5,400

APT84F50L

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存7,236

APT84M50B2

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存2,826

APT84M50L

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 84A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,968

APT8M100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1885pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,684

APT8M80K

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1335pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 225W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 [K]
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,402

APT94N60L2C3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 94A TO264

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 94A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 640nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 833W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: 264 MAX™ [L2]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,606

APT94N65B2C3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 94A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 580nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13940pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 833W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存2,700

APT94N65B2C6

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 35.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 320nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8140pF @ 25V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 833W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存4,878

APT97N65LC6

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 97A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 48.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 2.96mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 862W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264 [L]
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存4,140

APT9F100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2606pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 337W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,510

APT9F100S

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2606pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 337W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D3Pak
包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

庫存4,374

APT9M100B

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2605pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 335W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 [B]
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,464

APTC60DAM18CTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 143A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 71.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1036nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 833W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存3,580

APTC60DAM24CT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 95A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 462W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SP4
包裝/箱: SP4

庫存3,672

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