晶體管

型號	描述	庫存
BSO613SPV Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.44A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,964
BSO613SPVGHUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.44A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-DSO-8 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,082
BSP030,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 8.3W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,754
BSP100,135 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 8.3W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,952
BSP110,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 520mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,250
BSP122,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存46,158
BSP123E6327T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,478
BSP123L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.79W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,860
BSP125 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,776
BSP125 E6433 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,870
BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存23,976
BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,186
BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,334
BSP125L6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,402
BSP126,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存250,710
BSP126,135 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,428
BSP129E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,164
BSP129E6327T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,698
BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存25,200
BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,762
BSP129L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,074
BSP129L6906HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,912
BSP130,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-73 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存248,754
BSP135 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,860
BSP135 E6906 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,114
BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,526
BSP135H6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,754
BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,346
BSP135L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,256
BSP135L6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,178

BSO613SPV

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.44A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,964

BSO613SPVGHUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.44A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-DSO-8
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,082

BSP030,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.3W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,754

BSP100,135

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 8.3W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,952

BSP110,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 520mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,250

BSP122,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存46,158

BSP123E6327T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,478

BSP123L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 70pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.79W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,860

BSP125 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,776

BSP125 E6433

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,870

BSP125H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存23,976

BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,186

BSP125L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,334

BSP125L6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,402

BSP126,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存250,710

BSP126,135

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,428

BSP129E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,164

BSP129E6327T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,698

BSP129H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存25,200

BSP129H6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,762

BSP129L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,074

BSP129L6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 108pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,912

BSP130,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 350MA SC73

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-73
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存248,754

BSP135 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,860

BSP135 E6906

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,114

BSP135H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,526

BSP135H6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,754

BSP135H6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,346

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,256

BSP135L6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 146pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,178

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