晶體管

型號	描述	庫存
BSP318SL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,572
BSP320S E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,398
BSP320S E6433 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,682
BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存39,054
BSP320SH6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,470
BSP320SL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,364
BSP320SL6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,866
BSP321PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 980mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 380µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 319pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,308
BSP321PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 980mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 380µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 319pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,754
BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 380µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 372pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存17,040
BSP322PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 380µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 372pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,770
BSP324 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 154pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,860
BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 154pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,488
BSP324L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 154pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,910
BSP372 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±14V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,700
BSP372L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±14V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,964
BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 329pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存21,144
BSP373 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,240
BSP373L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,554
BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 218µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 265pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,212
BSP603S2LHUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,662
BSP612PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL+P-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,916
BSP613P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存45,504
BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存64,758
BSP613PL6327HUSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,582
BSP615S2L Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,532
BSP615S2LHUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SOT223-4 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,244
BSP716NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存4,482
BSP75GQTA Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存3,240
BSP75GQTC Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,520

BSP318SL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,572

BSP320S E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,398

BSP320S E6433

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,682

BSP320SH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存39,054

BSP320SH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,470

BSP320SL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,364

BSP320SL6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,866

BSP321PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 980mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 380µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 319pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,308

BSP321PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 980mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 380µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 319pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,754

BSP322PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 380µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 372pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存17,040

BSP322PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 380µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 372pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,770

BSP324 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 154pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,860

BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 154pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,488

BSP324L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 154pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,910

BSP372 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±14V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,700

BSP372L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±14V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,964

BSP372NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 329pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存21,144

BSP373 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,240

BSP373L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,554

BSP373NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 218µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 265pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,212

BSP603S2LHUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,662

BSP612PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL+P-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,916

BSP613P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存45,504

BSP613PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存64,758

BSP613PL6327HUSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,582

BSP615S2L

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,532

BSP615S2LHUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SOT223-4

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,244

BSP716NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 218µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存4,482

BSP75GQTA

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存3,240

BSP75GQTC

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,520

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