晶體管

型號	描述	庫存
BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存45,072
BSZ105N04NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,068
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 23µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存254,220
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 22µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存50,232
BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 73µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3360pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,564
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 73µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3360pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,646
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存37,524
BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,588
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存122,430
BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,064
BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MV POWER MOS 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,416
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,094
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,094
BSZ165N04NSGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,660
BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 32µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存44,184
BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 39.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 48µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,780
BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 39.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 48µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,788
BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,642
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,366
BSZ300N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 32µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,046
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存146,436
BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 33.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,600
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta), 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存314,328
BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存334,638
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,794
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TSDSON-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,892
BTS110E3045ANTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,092
BTS110NKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,052
BTS113AE3045ANTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,112
BTS113AE3064NKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,110

BSZ100N06NSATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存45,072

BSZ105N04NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,068

BSZ110N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 23µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存254,220

BSZ110N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 22µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存50,232

BSZ120P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 73µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3360pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,564

BSZ120P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 73µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3360pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,646

BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存37,524

BSZ12DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,588

BSZ130N03LSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存122,430

BSZ130N03MSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,064

BSZ146N10LS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MV POWER MOS

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,416

BSZ150N10LS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,094

BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,094

BSZ165N04NSGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,660

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 32µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存44,184

BSZ180P03NS3EGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 48µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,780

BSZ180P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 48µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,788

BSZ22DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,642

BSZ240N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,366

BSZ300N15NS5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 32µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8-FL
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,046

BSZ340N08NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存146,436

BSZ42DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,600

BSZ440N10NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存314,328

BSZ520N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存334,638

BSZ900N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,794

BSZ900N20NS3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TSDSON-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,892

BTS110E3045ANTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,092

BTS110NKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,052

BTS113AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,112

BTS113AE3064NKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,110

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message