晶體管

型號	描述	庫存
BTS113ANKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,320
BTS115ANKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,868
BTS121AE3045ANTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,820
BTS121ANKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,340
BTS244Z E3043 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220-5-43 包裝/箱: TO-220-5	庫存4,752
BTS244ZE3043AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO220-5-12 包裝/箱: TO-220-5	庫存6,372
BTS244Z E3062A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO220-5-62 包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	庫存4,680
BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-5-2 包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	庫存8,028
BTS244ZNKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-5-3 包裝/箱: TO-220-5 Formed Leads	庫存8,532
BTS247ZAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-5-3 包裝/箱: TO-220-5 Formed Leads	庫存5,994
BTS247ZE3043AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220-5-43 包裝/箱: TO-220-5	庫存3,348
BTS247Z E3062A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-5-2 包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	庫存6,462
BTS247ZE3062AATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 120W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-5-2 包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	庫存8,478
BTS282ZAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220-7-3 包裝/箱: TO-220-7	庫存7,722
BTS282Z E3180A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO220-7-180 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存6,048
BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-1 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存12,024
BTS282Z E3230 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: P-TO220-7-230 包裝/箱: TO-220-7	庫存6,948
BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商: Infineon Technologies 系列: TEMPFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: Temperature Sensing Diode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-7-12 包裝/箱: TO-220-7	庫存9,420
BUK3F00-50WFEA,518 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,796
BUK3F00-50WGFA,518 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,712
BUK6207-30C,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,730
BUK6207-55C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 90A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5160pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 158W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,560
BUK6208-40C,118 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,580
BUK6209-30C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1760pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存99,354
BUK6210-55C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 78A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存40,188
BUK6211-75C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 74A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5251pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 158W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,042
BUK6212-40C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,412
BUK6213-30A,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1986pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 102W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,984
BUK6213-30C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 47A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1108pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,820
BUK6215-75C,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 57A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,164

BTS113ANKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,320

BTS115ANKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,868

BTS121AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,820

BTS121ANKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,340

BTS244Z E3043

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220-5-43
包裝/箱: TO-220-5

庫存4,752

BTS244ZE3043AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO220-5-12
包裝/箱: TO-220-5

庫存6,372

BTS244Z E3062A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO220-5-62
包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

庫存4,680

BTS244ZE3062AATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-5-2
包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

庫存8,028

BTS244ZNKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-5-3
包裝/箱: TO-220-5 Formed Leads

庫存8,532

BTS247ZAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-5-3
包裝/箱: TO-220-5 Formed Leads

庫存5,994

BTS247ZE3043AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220-5-43
包裝/箱: TO-220-5

庫存3,348

BTS247Z E3062A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-5-2
包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

庫存6,462

BTS247ZE3062AATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 120W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-5-2
包裝/箱: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

庫存8,478

BTS282ZAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 49V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220-7-3
包裝/箱: TO-220-7

庫存7,722

BTS282Z E3180A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 49V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO220-7-180
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存6,048

BTS282ZE3180AATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 49V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-1
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存12,024

BTS282Z E3230

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 49V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: P-TO220-7-230
包裝/箱: TO-220-7

庫存6,948

BTS282ZE3230AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

制造商: Infineon Technologies
系列: TEMPFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 49V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 232nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: Temperature Sensing Diode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-7-12
包裝/箱: TO-220-7

庫存9,420

BUK3F00-50WFEA,518

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,796

BUK3F00-50WGFA,518

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,712

BUK6207-30C,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,730

BUK6207-55C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 90A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5160pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 158W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,560

BUK6208-40C,118

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,580

BUK6209-30C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1760pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存99,354

BUK6210-55C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 78A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存40,188

BUK6211-75C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 74A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5251pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 158W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,042

BUK6212-40C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,412

BUK6213-30A,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1986pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 102W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,984

BUK6213-30C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 47A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1108pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,820

BUK6215-75C,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 57A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,164

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