晶體管

型號	描述	庫存
BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6319pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存139,728
BUK9Y72-80E,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 898pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存17,952
BUK9Y7R2-60E,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5026pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存5,544
BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2403pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存7,020
BUK9Y7R8-80E,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存7,344
BUK9Y8R5-80EX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8167pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 238W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存13,602
BUK9Y8R7-60E,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 147W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存16,860
BUK9Y98-80E,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,874
BUK9Y9R9-80E,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,424
BUZ10 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 23A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,402
BUZ11-NR4941 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,668
BUZ11_R4941 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,066
BUZ30A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存17,011
BUZ30A E3045A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,744
BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,250
BUZ30AHXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,408
BUZ31 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,678
BUZ31 E3045A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,802
BUZ31 E3046 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,880
BUZ31 H3045A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存19,212
BUZ31H3046XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,860
BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,700
BUZ31L Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,100
BUZ31L E3044A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3-1 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,524
BUZ31L H Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,272
BUZ32 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,266
BUZ32 E3045A Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,208
BUZ32 H Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,396
BUZ32H3045AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,716
BUZ73 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,416

BUK9Y6R0-60E,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6319pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存139,728

BUK9Y72-80E,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 898pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存17,952

BUK9Y7R2-60E,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5026pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存5,544

BUK9Y7R6-40E,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2403pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存7,020

BUK9Y7R8-80E,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存7,344

BUK9Y8R5-80EX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8167pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 238W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存13,602

BUK9Y8R7-60E,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 147W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存16,860

BUK9Y98-80E,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,874

BUK9Y9R9-80E,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,424

BUZ10

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 23A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,402

BUZ11-NR4941

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,668

BUZ11_R4941

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,066

BUZ30A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存17,011

BUZ30A E3045A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,744

BUZ30AH3045AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,250

BUZ30AHXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,408

BUZ31

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,678

BUZ31 E3045A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,802

BUZ31 E3046

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,880

BUZ31 H3045A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存19,212

BUZ31H3046XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,860

BUZ31HXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,700

BUZ31L

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,100

BUZ31L E3044A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3-1
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,524

BUZ31L H

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,272

BUZ32

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,266

BUZ32 E3045A

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,208

BUZ32 H

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,396

BUZ32H3045AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,716

BUZ73

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,416

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