晶體管

型號	描述	庫存
C3M0016120K Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 SIC MOSFET G3 1200V 16 MOHM 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 115A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 23mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 15V Vgs（最大）: +15V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6085pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 556W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存10,008
C3M0021120K Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,174
C3M0030090K Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 11mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 15V Vgs（最大）: +15V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1864pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 149W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4 包裝/箱: TO-247-4	庫存7,584
C3M0065090D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.4nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存75,426
C3M0065090J Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 15V Vgs（最大）: +19V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 113W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存141,516
C3M0065090J-TR Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 15V Vgs（最大）: +19V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 113W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存5,796
C3M0065100J Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 15V Vgs（最大）: +15V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存13,236
C3M0065100J-TR Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 15V Vgs（最大）: +15V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存6,372
C3M0065100K Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 15V Vgs（最大）: +19V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4L 包裝/箱: TO-247-4	庫存27,096
C3M0075120D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 1200V, 75 MOHM, G3 SIC 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 15V Vgs（最大）: +19V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,484
C3M0075120J Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 15V Vgs（最大）: +19V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存20,364
C3M0075120J-TR Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 15V Vgs（最大）: +15V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存7,812
C3M0075120K Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 15V Vgs（最大）: +19V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4L 包裝/箱: TO-247-4	庫存19,980
C3M0120090D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 97W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存23,154
C3M0120090J Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 22A 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存25,476
C3M0120090J-TR Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 22A 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存17,316
C3M0120100J Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 15V Vgs（最大）: +15V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存18,252
C3M0120100K Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-4L 包裝/箱: TO-247-4	庫存7,656
C3M0280090D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 11.5A 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存22,812
C3M0280090J Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 11A 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存16,776
C3M0280090J-TR Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 11A 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: C3M™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存19,056
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 CA/JCOP/MF4K/4B-UZ 制造商: NXP USA Inc. 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,812
CC1202 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,164
CDM22010-650 SL Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 10A 650V TO220 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1168pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,524
CDM22011-600LRFP SL Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.05nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 763pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存16,764
CDM22012-800LRFP SL Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 12A 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52.4nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存9,348
CDM2205-800FP SL Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存21,180
CDM2206-800LR SL Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 6A TO220 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.3nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,972
CDM2208-800FP SL Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.45nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,352
CDM3-800 TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 3A 800V DPAK 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs（最大）: 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 415pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,696

C3M0016120K

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

SIC MOSFET G3 1200V 16 MOHM

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1.2kV
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 115A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 23mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 15V
Vgs（最大）: +15V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6085pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 556W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存10,008

C3M0021120K

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,174

C3M0030090K

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 63A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 11mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 15V
Vgs（最大）: +15V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1864pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 149W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4
包裝/箱: TO-247-4

庫存7,584

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.4nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存75,426

C3M0065090J

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 15V
Vgs（最大）: +19V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存141,516

C3M0065090J-TR

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 15V
Vgs（最大）: +19V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存5,796

C3M0065100J

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 15V
Vgs（最大）: +15V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存13,236

C3M0065100J-TR

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 15V
Vgs（最大）: +15V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存6,372

C3M0065100K

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 15V
Vgs（最大）: +19V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4L
包裝/箱: TO-247-4

庫存27,096

C3M0075120D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 1200V, 75 MOHM, G3 SIC

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 15V
Vgs（最大）: +19V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,484

C3M0075120J

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 15V
Vgs（最大）: +19V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存20,364

C3M0075120J-TR

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 15V
Vgs（最大）: +15V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存7,812

C3M0075120K

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 15V
Vgs（最大）: +19V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 1000V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4L
包裝/箱: TO-247-4

庫存19,980

C3M0120090D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 97W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存23,154

C3M0120090J

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 22A

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存25,476

C3M0120090J-TR

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 22A

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存17,316

C3M0120100J

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 15V
Vgs（最大）: +15V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存18,252

C3M0120100K

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-4L
包裝/箱: TO-247-4

庫存7,656

C3M0280090D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 11.5A

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存22,812

C3M0280090J

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 11A

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存16,776

C3M0280090J-TR

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 11A

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: C3M™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存19,056

CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,812

CC1202

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,164

CDM22010-650 SL

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 10A 650V TO220

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1168pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,524

CDM22011-600LRFP SL

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.05nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 763pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存16,764

CDM22012-800LRFP SL

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 12A

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52.4nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存9,348

CDM2205-800FP SL

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 705pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存21,180

CDM2206-800LR SL

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.3nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,972

CDM2208-800FP SL

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.45nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,352

CDM3-800 TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 3A 800V DPAK

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs（最大）: 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 415pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,696

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