晶體管

型號	描述	庫存
DMPH3010LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6807pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,094
DMPH3010LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6807pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,744
DMPH4013SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4004pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,608
DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4004pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,696
DMPH4015SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,508
DMPH4015SK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET PCH 40V 14A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-4L 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存20,370
DMPH4015SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,470
DMPH4015SPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,784
DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,352
DMPH4015SSSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,812
DMPH4023SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1091pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,916
DMPH4023SK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1091pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,796
DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1918pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,294
DMPH4025SFVWQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1918pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,934
DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,490
DMPH4029LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,894
DMPH4029LFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,850
DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,012
DMPH6023SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2569pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,472
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2569pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,958
DMPH6050SFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,058
DMPH6050SFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,406
DMPH6050SFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Ta), 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1293pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,974
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Ta), 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.293nF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存42,930
DMPH6050SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1377pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存20,538
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1377pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,550
DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 920mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,718
DMPH6250SQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 920mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,688
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.3A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 353pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,916
DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 632pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN3020B (3x2) 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad	庫存3,508

DMPH3010LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6807pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,094

DMPH3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6807pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,744

DMPH4013SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4004pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,608

DMPH4013SK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4004pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,696

DMPH4015SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,508

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET PCH 40V 14A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-4L
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存20,370

DMPH4015SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,470

DMPH4015SPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,784

DMPH4015SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,352

DMPH4015SSSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4234pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,812

DMPH4023SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1091pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,916

DMPH4023SK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1091pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,796

DMPH4025SFVWQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1918pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,294

DMPH4025SFVWQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1918pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,934

DMPH4029LFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,490

DMPH4029LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,894

DMPH4029LFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,850

DMPH4029LFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,012

DMPH6023SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2569pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,472

DMPH6023SK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2569pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,958

DMPH6050SFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,058

DMPH6050SFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,406

DMPH6050SFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1293pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,974

DMPH6050SFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.293nF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存42,930

DMPH6050SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1377pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存20,538

DMPH6050SK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1377pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,550

DMPH6250SQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 920mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,718

DMPH6250SQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 920mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,688

DMS2085LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.3A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 353pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,916

DMS2120LFWB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 632pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN3020B (3x2)
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad

庫存3,508

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