晶體管

型號	描述	庫存
EC4401C-TL ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 0.15A ECSP1008-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-ECSP1008 包裝/箱: 4-UFDFN	庫存5,094
ECH8308-P-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 10A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存7,956
ECH8308-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 10A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,420
ECH8309-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1780pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存7,074
ECH8310-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 9A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,910
ECH8315-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,724
ECH8315-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-28FL/ECH8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,856
ECH8320-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,240
ECH8410-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,274
ECH8419-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 35V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存6,102
ECH8420-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2430pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存6,480
ECH8601M-C-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,654
ECH8656-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ECH 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存6,840
EFC4612R-S-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存7,596
EFC4612R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存6,984
EFC4612R-W-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存4,932
EFC4615R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EFCP1515-4CC-037 包裝/箱: 4-XBGA, 4-FCBGA	庫存7,956
EFC4619R-A-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EFCP1616-4CE-022 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存7,164
EFC4621R-A-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: EFCP1818-4CE-22 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存3,888
EFC6604R-A-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 24V 6A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46) 包裝/箱: 6-XFBGA	庫存3,114
EKI04027 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 82.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,742
EKI04036 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 58.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 116W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,604
EKI04047 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 42.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,750
EKI06051 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 85A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,748
EKI06075 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 78A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 116W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,130
EKI06108 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 57A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.2mOhm @ 28.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,544
EKI07076 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,812
EKI07117 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 62A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 31.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 116W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,112
EKI07174 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 46A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,520
EKI10126 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 66A TO-220 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6420pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,086

EC4401C-TL

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.15A ECSP1008-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-ECSP1008
包裝/箱: 4-UFDFN

庫存5,094

ECH8308-P-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 10A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存7,956

ECH8308-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 10A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,420

ECH8309-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1780pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存7,074

ECH8310-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 9A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,910

ECH8315-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,724

ECH8315-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-28FL/ECH8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,856

ECH8320-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,240

ECH8410-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,274

ECH8419-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 35V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存6,102

ECH8420-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 14A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2430pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存6,480

ECH8601M-C-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,654

ECH8656-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ECH
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存6,840

EFC4612R-S-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存7,596

EFC4612R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存6,984

EFC4612R-W-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存4,932

EFC4615R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EFCP1515-4CC-037
包裝/箱: 4-XBGA, 4-FCBGA

庫存7,956

EFC4619R-A-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EFCP1616-4CE-022
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存7,164

EFC4621R-A-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: EFCP1818-4CE-22
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存3,888

EFC6604R-A-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)
包裝/箱: 6-XFBGA

庫存3,114

EKI04027

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 85A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 82.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,742

EKI04036

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 58.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 116W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,604

EKI04047

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 42.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,750

EKI06051

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 85A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,748

EKI06075

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 78A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 116W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,130

EKI06108

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 57A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.2mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,544

EKI07076

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 85A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,812

EKI07117

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 62A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 31.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 116W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,112

EKI07174

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 46A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,520

EKI10126

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 66A TO-220

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6420pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,086

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