晶體管

型號	描述	庫存
DMTH8012LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1949pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,348
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 80V 10A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2051pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存56,466
DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1949pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,736
DN1509K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 490mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-5 包裝/箱: SC-74A, SOT-753	庫存3,078
DN1509N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存8,280
DN2450K4-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存16,836
DN2450N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存3,330
DN2470K4-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存339,546
DN2530N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存21,096
DN2530N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存19,062
DN2535N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存16,134
DN2535N3-G-P003 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存4,896
DN2535N3-G-P013 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存6,228
DN2535N5-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 15W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,506
DN2540N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存13,398
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存6,318
DN2540N5-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 15W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,296
DN2540N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存19,734
DN2625K4-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.04nC @ 1.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存358
DN3135K1-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存152,772
DN3135N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 135mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存906
DN3145N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存8,946
DN3525N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存93,390
DN3535N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存16,470
DN3545N3-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 136mA 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226) 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存14,484
DN3545N8-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89) 包裝/箱: TO-243AA	庫存52,728
DN3765K4-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 825pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,878
E3M0065090D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: Automotive, AEC-Q101, E FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84.5mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.4nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存16,920
E3M0120090D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: Automotive, AEC-Q101, E FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 97W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存18,552
E3M0280090D Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: Automotive, AEC-Q101, E FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V Vgs（最大）: +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V FET功能: - 功耗（最大值）: 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存14,268

DMTH8012LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1949pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,348

DMTH8012LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2051pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存56,466

DMTH8012LPSW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1949pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,736

DN1509K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 490mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-5
包裝/箱: SC-74A, SOT-753

庫存3,078

DN1509N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 90V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存8,280

DN2450K4-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存16,836

DN2450N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存3,330

DN2470K4-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存339,546

DN2530N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存21,096

DN2530N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存19,062

DN2535N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存16,134

DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存4,896

DN2535N3-G-P013

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存6,228

DN2535N5-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 15W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,506

DN2540N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存13,398

DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存6,318

DN2540N5-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 15W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,296

DN2540N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存19,734

DN2625K4-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存358

DN3135K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存152,772

DN3135N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 135mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存906

DN3145N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存8,946

DN3525N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存93,390

DN3535N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存16,470

DN3545N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 136mA
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存14,484

DN3545N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱: TO-243AA

庫存52,728

DN3765K4-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 825pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,878

E3M0065090D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: Automotive, AEC-Q101, E
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84.5mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.4nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存16,920

E3M0120090D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: Automotive, AEC-Q101, E
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.3nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 97W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存18,552

E3M0280090D

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: Automotive, AEC-Q101, E
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 15V
Vgs（最大）: +18V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 600V
FET功能: -
功耗（最大值）: 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存14,268

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