晶體管

型號	描述	庫存
FCPF250N65S3R0L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO220F PKG 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,220
FCPF260N60E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 15A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,212
FCPF260N60E-F152 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 15A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,790
FCPF260N65FL1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 15A TO220 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,960
FCPF290N80 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 17A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3205pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,232
FCPF360N65S3R0L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO220F PKG 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 27W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,240
FCPF36N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 36A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SupreMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4785pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,610
FCPF380N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1665pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存35,730
FCPF380N60E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,190
FCPF380N60E-F152 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,508
FCPF380N60-F152 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1665pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,196
FCPF380N65FL1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET®, SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,262
FCPF400N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存19,692
FCPF400N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 11A ZNR 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 35.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存17,670
FCPF400N80ZL1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 11A TO220 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 35.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,904
FCPF4300N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 355pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 19.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,022
FCPF600N60Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,002
FCPF600N60ZL1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600MOHM TO220F ZENER 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,140
FCPF600N65S3R0L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO220F PKG 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 600µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 24W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,580
FCPF650N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1565pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,596
FCPF7N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存14,868
FCPF7N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SupreMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,804
FCPF7N60T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,110
FCPF7N60YDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存8,784
FCPF850N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 6A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 600µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1315pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,600
FCPF9N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 29.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,964
FCPF9N60NTYDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 9A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SupreMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 29.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存7,254
FCU2250N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 585pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,104
FCU3400N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 2A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,190
FCU360N65S3R0 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存18,990

FCPF250N65S3R0L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO220F PKG

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,220

FCPF260N60E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,212

FCPF260N60E-F152

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 15A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,790

FCPF260N65FL1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 15A TO220

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,960

FCPF290N80

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 17A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3205pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,232

FCPF360N65S3R0L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO220F PKG

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,240

FCPF36N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 36A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SupreMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4785pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,610

FCPF380N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1665pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存35,730

FCPF380N60E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,190

FCPF380N60E-F152

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,508

FCPF380N60-F152

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1665pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,196

FCPF380N65FL1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®, SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,262

FCPF400N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存19,692

FCPF400N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11A ZNR

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存17,670

FCPF400N80ZL1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11A TO220

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2350pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,904

FCPF4300N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 355pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 19.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,022

FCPF600N60Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,002

FCPF600N60ZL1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600MOHM TO220F ZENER

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,140

FCPF600N65S3R0L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO220F PKG

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 600µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 465pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 24W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,580

FCPF650N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1565pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,596

FCPF7N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存14,868

FCPF7N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SupreMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,804

FCPF7N60T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,110

FCPF7N60YDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存8,784

FCPF850N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 6A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 600µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1315pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,600

FCPF9N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,964

FCPF9N60NTYDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SupreMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存7,254

FCU2250N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 585pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,104

FCU3400N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,190

FCU360N65S3R0

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存18,990

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