晶體管

型號	描述	庫存
FCPF11N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存12,468
FCPF11N60F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,804
FCPF11N60_G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 INTEGRATED CIRCUIT 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,074
FCPF11N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1505pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,820
FCPF11N60T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,092
FCPF11N65 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11A 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,582
FCPF11N65_G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 INTEGRATED CIRCUIT 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,058
FCPF125N65S3 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 24A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,708
FCPF1300N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 24W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存19,068
FCPF1300N80ZYD ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 24W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存4,680
FCPF13N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 13A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1765pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 33.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存19,788
FCPF150N65F ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3737pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存19,920
FCPF165N65S3L1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存17,472
FCPF165N65S3R0L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO220F PKG 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,144
FCPF16N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 37.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存19,836
FCPF16N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SupreMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 35.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存13,806
FCPF190N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存23,244
FCPF190N60E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3175pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存13,626
FCPF190N60-F152 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,120
FCPF190N65FL1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3055pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,052
FCPF190N65S3L1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,792
FCPF190N65S3R0L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 SUPERFET3 650V TO220F PKG 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存23,004
FCPF20N60 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存16,848
FCPF20N60FS ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,214
FCPF20N60T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,428
FCPF20N60TYDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存4,266
FCPF220N80 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 23A TO220 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4560pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,364
FCPF2250N80Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 585pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 21.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,880
FCPF22N60NT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: SupreMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±45V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存21,024
FCPF250N65S3L1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3 制造商: ON Semiconductor 系列: SuperFET® III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,412

FCPF11N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存12,468

FCPF11N60F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,804

FCPF11N60_G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

INTEGRATED CIRCUIT

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,074

FCPF11N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1505pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,820

FCPF11N60T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,092

FCPF11N65

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11A

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1490pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,582

FCPF11N65_G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

INTEGRATED CIRCUIT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,058

FCPF125N65S3

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 24A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,708

FCPF1300N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 24W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存19,068

FCPF1300N80ZYD

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 24W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存4,680

FCPF13N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1765pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存19,788

FCPF150N65F

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3737pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存19,920

FCPF165N65S3L1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存17,472

FCPF165N65S3R0L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO220F PKG

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,144

FCPF16N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存19,836

FCPF16N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SupreMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存13,806

FCPF190N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存23,244

FCPF190N60E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3175pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存13,626

FCPF190N60-F152

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,120

FCPF190N65FL1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3055pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,052

FCPF190N65S3L1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1225pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,792

FCPF190N65S3R0L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

SUPERFET3 650V TO220F PKG

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存23,004

FCPF20N60

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存16,848

FCPF20N60FS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,214

FCPF20N60T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,428

FCPF20N60TYDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存4,266

FCPF220N80

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 23A TO220

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 2.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4560pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,364

FCPF2250N80Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 585pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,880

FCPF22N60NT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: SupreMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±45V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存21,024

FCPF250N65S3L1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3

制造商: ON Semiconductor
系列: SuperFET® III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,412

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