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晶體管

記錄 64,903
頁面 1194/2164
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型號
描述
庫存
數量
FDMT80060DC
FDMT80060DC

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Dual Cool™, PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 43A (Ta), 292A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 8V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 238nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 20170pF @ 30V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-Dual Cool™88
  • 包裝/箱: 8-PowerVDFN
庫存3,708
FDMT80080DC
FDMT80080DC

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Dual Cool™, PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 36A (Ta), 254A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 8V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 273nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 20720pF @ 40V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-Dual Cool™88
  • 包裝/箱: 8-PowerVDFN
庫存8,784
FDN028N20
FDN028N20

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.1A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.5W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存27,816
FDN302P
FDN302P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 882pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存791,028
FDN304P
FDN304P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1312pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存566,514
FDN304PZ
FDN304PZ

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1310pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,240,812
FDN306P
FDN306P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 12V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1138pF @ 6V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,796,988
FDN308P
FDN308P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 341pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存7,380
FDN327N
FDN327N

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 423pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,071,360
FDN335N
FDN335N

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 310pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,631,798
FDN336P
FDN336P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 330pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存357,222
FDN336P-NL
FDN336P-NL

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 330pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存4,464
FDN337N
FDN337N

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 300pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,631,360
FDN337N-F169
FDN337N-F169

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 300pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,142
FDN338P
FDN338P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 451pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,445,598
FDN338P_G
FDN338P_G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

INTEGRATED CIRCUIT

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 451pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存5,310
FDN339AN
FDN339AN

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 700pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存549,162
FDN339AN_G
FDN339AN_G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 700pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存8,712
FDN340P
FDN340P

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L

  • 制造商: MICROSS/On Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 779pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: Die
  • 包裝/箱: Die
庫存6,048
FDN340P
FDN340P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 779pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,438,782
FDN342P
FDN342P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 635pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存275,028
FDN352AP
FDN352AP

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 150pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存1,724,004
FDN357N
FDN357N

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.9A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.9nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 235pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存350,034
FDN358P
FDN358P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 182pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存125,304
FDN359AN
FDN359AN

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 480pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存733,524
FDN359BN
FDN359BN

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 650pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存227,292
FDN360P
FDN360P

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 298pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存350,238
FDN360P-NBGT003B
FDN360P-NBGT003B

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 298pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存6,084
FDN361AN
FDN361AN

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 220pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存4,716
FDN361BN
FDN361BN

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: PowerTrench®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 193pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SuperSOT-3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存91,764