晶體管

型號	描述	庫存
IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 108µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6240pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,646
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 155µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,902
IPB032N10N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 166A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 125µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6970pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 187W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存5,454
IPB033N10N5LFATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.1V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 179W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存13,698
IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,424
IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 93µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,516
IPB034N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 93µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存4,860
IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存22,056
IPB036N12N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存6,624
IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存22,860
IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,750
IPB039N04LGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 45µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,398
IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存18,726
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 160µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存6,300
IPB03N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7027pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,200
IPB03N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7027pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,372
IPB03N03LB Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7624pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,488
IPB03N03LB G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7624pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,218
IPB041N04NGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 45µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,586
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存13,482
IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存20,316
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,124
IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 174A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 264µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存23,268
IPB048N06LGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,370
IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 264µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,614
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 255µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 313W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,556
IPB049N06L3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 58µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,020
IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 66µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,100
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 91µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存22,296
IPB04N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3877pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,740

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 108µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6240pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,646

IPB031NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 155µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,902

IPB032N10N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 166A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 125µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6970pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 187W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存5,454

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.1V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 179W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存13,698

IPB034N03LGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,424

IPB034N06L3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 93µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,516

IPB034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 93µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存4,860

IPB035N08N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存22,056

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存6,624

IPB037N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存22,860

IPB038N12N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13800pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,750

IPB039N04LGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 45µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,398

IPB039N10N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存18,726

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 160µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存6,300

IPB03N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7027pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,200

IPB03N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7027pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,372

IPB03N03LB

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7624pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,488

IPB03N03LB G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7624pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,218

IPB041N04NGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 45µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,586

IPB042N03LGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存13,482

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存20,316

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,124

IPB044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 174A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 264µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8000pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存23,268

IPB048N06LGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,370

IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.6V @ 264µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,614

IPB048N15N5LFATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 255µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 313W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,556

IPB049N06L3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 58µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,020

IPB049N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 66µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3770pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,100

IPB049NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 91µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存22,296

IPB04N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3877pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,740

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