晶體管

型號	描述	庫存
IPB160N08S403ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,066
IPB16CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,542
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 54µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,920
IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 239nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,834
IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,802
IPB180N04S302ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,214
IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 286nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存123,588
IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存30,834
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17940pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存21,876
IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 245nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,524
IPB180N04S4LH0ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存8,550
IPB180N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,254
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存8,748
IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 220µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 277W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,948
IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,708
IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,808
IPB180P04P403ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17640pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,196
IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 410µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 286nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存53,640
IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存12,876
IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,424
IPB22N03S4L15ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,066
IPB230N06L3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,112
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存5,274
IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 231W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,704
IPB240N04S41R0ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 221nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17682pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 231W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,690
IPB240N04S4R9ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.87mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,330
IPB25N06S3-25 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1862pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,024
IPB25N06S3L-22 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.3mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3-2 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,670
IPB260N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.7mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,598
IPB26CN10NGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,410

IPB160N08S403ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,066

IPB16CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,542

IPB17N25S3100ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 54µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,920

IPB180N03S4L01ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 239nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,834

IPB180N03S4LH0ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,802

IPB180N04S302ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,214

IPB180N04S400ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 286nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存123,588

IPB180N04S401ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存30,834

IPB180N04S4H0ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17940pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存21,876

IPB180N04S4L01ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 245nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,524

IPB180N04S4LH0ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 310nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存8,550

IPB180N06S4H1ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,254

IPB180N06S4H1ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存8,748

IPB180N08S402ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 220µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 277W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,948

IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,708

IPB180N10S403ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,808

IPB180P04P403ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17640pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,196

IPB180P04P4L02ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 410µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 286nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存53,640

IPB200N15N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存12,876

IPB200N25N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,424

IPB22N03S4L15ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,066

IPB230N06L3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,112

IPB240N03S4LR8ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 26000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存5,274

IPB240N03S4LR9ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 231W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,704

IPB240N04S41R0ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 221nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17682pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 231W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,690

IPB240N04S4R9ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.87mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 230µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,330

IPB25N06S3-25

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1862pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,024

IPB25N06S3L-22

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.3mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3-2
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,670

IPB260N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,598

IPB26CN10NGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,410

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