晶體管

型號	描述	庫存
IPI90R500C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 11A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 740µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,032
IPI90R500C3XKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,120
IPI90R800C3 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,974
IPI90R800C3XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 460µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,996
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,438
IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,488
IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2895pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 201W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存2,034
IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 760µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2721pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 189W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存2,394
IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 154W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存5,652
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,822
IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1819pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 122W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存4,122
IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 530µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1952pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 137W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存28,956
IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,190
IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 103W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存6,660
IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 111W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存5,076
IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,902
IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_NEW 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,596
IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 750µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存4,572
IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 77W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存3,906
IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1199pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存6,858
IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1081pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 81W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存56,532
IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 139W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存8,082
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 26.6W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,898
IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 630µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1750pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 151W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存8,244
IPL60R255P6AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 530µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 126W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存4,770
IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 190µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 761pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 59W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存6,588
IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存3,870
IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TSON 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 21.6W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,132
IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8THINPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 89.3W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-ThinPak (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,310
IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-VSON-4 包裝/箱: 4-PowerTSFN	庫存52,950

IPI90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 11A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 740µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,032

IPI90R500C3XKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,120

IPI90R800C3

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,974

IPI90R800C3XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 460µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,996

IPL60R060CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,438

IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,488

IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2895pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 201W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存2,034

IPL60R075CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 760µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2721pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 189W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存2,394

IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 590µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2180pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 154W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存5,652

IPL60R095CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,822

IPL60R104C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 490µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1819pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 122W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存4,122

IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 530µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1952pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 137W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存28,956

IPL60R115CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,190

IPL60R125C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 390µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 103W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存6,660

IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 410µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1544pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 111W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存5,076

IPL60R140CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,902

IPL60R160CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_NEW

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,596

IPL60R180P6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 750µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存4,572

IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 77W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存3,906

IPL60R185CFD7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1199pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存6,858

IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1081pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 81W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存56,532

IPL60R199CPAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 660µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 139W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存8,082

IPL60R1K5C6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26.6W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,898

IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 630µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1750pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 151W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存8,244

IPL60R255P6AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 530µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 126W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存4,770

IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 190µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 761pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 59W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存6,588

IPL60R299CPAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存3,870

IPL60R2K1C6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TSON

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21.6W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Thin-PAK (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,132

IPL60R360P6SATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89.3W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-ThinPak (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,310

IPL60R365P7AUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-VSON-4
包裝/箱: 4-PowerTSFN

庫存52,950

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