晶體管

IRFS7440TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 40V 120A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4730pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 208W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS750A

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 131nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2780pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 49W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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IRFS7530-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 354nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12960pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7530PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 411nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13703pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7530TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 354nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12960pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7530TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 411nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13703pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7534-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9990pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7534PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 279nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10034pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 294W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7534TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9990pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7534TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 279nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10034pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 294W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7537PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 173A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 230W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7537TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 173A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 173A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 230W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7540PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4555pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 160W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7540TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4555pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 160W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7730-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 428nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13970pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRFS7730PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 407nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13660pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7730TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 428nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13970pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 407nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13660pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 375W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7734-7PPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 197A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10130pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 294W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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IRFS7734PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 183A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10150pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7734TRL7PP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 197A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 150µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10130pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 294W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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IRFS7734TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 183A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10150pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7762PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4440pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 140W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7762TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4440pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 140W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7787PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 109nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4020pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS7787TRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: HEXFET®, StrongIRFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 109nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4020pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS9N60A

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 170W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS9N60APBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 170W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS9N60ATRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 170W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRFS9N60ATRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 170W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D2PAK
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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