晶體管

型號	描述	庫存
IRLZ24NSPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,082
IRLZ24NSTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,736
IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存30,162
IRLZ24NSTRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,568
IRLZ24PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存24,510
IRLZ24S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,112
IRLZ24SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,380
IRLZ24STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,878
IRLZ24STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,806
IRLZ34 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,780
IRLZ34L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,084
IRLZ34NL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,946
IRLZ34NLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,002
IRLZ34NPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存746,436
IRLZ34NS Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,676
IRLZ34NSPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,716
IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存256,224
IRLZ34NSTRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,758
IRLZ34PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存24,054
IRLZ34S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,492
IRLZ34SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存13,308
IRLZ34STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,518
IRLZ34STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,636
IRLZ44 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,570
IRLZ44L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,896
IRLZ44NL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 47A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,376
IRLZ44NLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 47A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,240
IRLZ44NPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,768
IRLZ44NSPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,084
IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,388

IRLZ24NSPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,082

IRLZ24NSTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,736

IRLZ24NSTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存30,162

IRLZ24NSTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,568

IRLZ24PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存24,510

IRLZ24S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,112

IRLZ24SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,380

IRLZ24STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,878

IRLZ24STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,806

IRLZ34

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,780

IRLZ34L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,084

IRLZ34NL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,946

IRLZ34NLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,002

IRLZ34NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存746,436

IRLZ34NS

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,676

IRLZ34NSPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,716

IRLZ34NSTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存256,224

IRLZ34NSTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,758

IRLZ34PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存24,054

IRLZ34S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,492

IRLZ34SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (D²Pak)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存13,308

IRLZ34STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,518

IRLZ34STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,636

IRLZ44

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,570

IRLZ44L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,896

IRLZ44NL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 47A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,376

IRLZ44NLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 47A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,240

IRLZ44NPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,768

IRLZ44NSPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,084

IRLZ44NSTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,388

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