晶體管

型號	描述	庫存
DMMT5551-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存8,748
DMMT5551-7-F Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存7,128
DMMT5551S-7-F Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存25,518
DMMT5551-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存7,218
DN0150ADJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存199,194
DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存5,814
DP0150ADJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存8,892
DP0150BDJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存5,238
DSS4160DS-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 60V 1A SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 5V 功率-最大: 700mW 頻率-過渡: 220MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存4,662
DSS4160FDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS NPH U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 500mA, 2V 功率-最大: 405mW 頻率-過渡: 175MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存27,414
DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V 功率-最大: 405mW 頻率-過渡: 175MHz, 65MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存27,672
DSS5160FDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 550mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V 功率-最大: 405mW 頻率-過渡: 65MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存22,218
DST3904DJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存5,346
DST3906DJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存8,532
DST3946DPJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存8,226
DST847BDJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存7,650
DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 175MHz, 340MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存6,336
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 340MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SOT-963	庫存98,670
ECH8501-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1.6W 頻率-過渡: 280MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存3,132
ECH8502-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V, 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1.6W 頻率-過渡: 290MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存6,246
ECH8503-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 190mV @ 125mA, 2.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1.6W 頻率-過渡: 280MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存8,082
E-L6221AD STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 1.8A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 供應商設備包裝: 20-SOIC	庫存8,514
EMT18T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 12V 0.5A 6EMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 260MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存2,430
EMT1DXV6T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存8,694
EMT1DXV6T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存8,406
EMT1DXV6T5 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存8,892
EMT1DXV6T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存77,976
EMT1T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存156,852
EMT2T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存4,014
EMT3T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 140MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存8,928

DMMT5551-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存8,748

DMMT5551-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存7,128

DMMT5551S-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存25,518

DMMT5551-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存7,218

DN0150ADJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存199,194

DN0150BDJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存5,814

DP0150ADJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存8,892

DP0150BDJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存5,238

DSS4160DS-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 1A SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 5V
功率-最大: 700mW
頻率-過渡: 220MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存4,662

DSS4160FDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPH U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 500mA, 2V
功率-最大: 405mW
頻率-過渡: 175MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存27,414

DSS45160FDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN, PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
功率-最大: 405mW
頻率-過渡: 175MHz, 65MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存27,672

DSS5160FDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 550mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
功率-最大: 405mW
頻率-過渡: 65MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存22,218

DST3904DJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存5,346

DST3906DJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存8,532

DST3946DPJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN, PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存8,226

DST847BDJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存7,650

DST847BPDP6-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN, PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 175MHz, 340MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存6,336

DST857BDJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 340MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SOT-963

庫存98,670

ECH8501-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN, PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1.6W
頻率-過渡: 280MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存3,132

ECH8502-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN, PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V, 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1.6W
頻率-過渡: 290MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存6,246

ECH8503-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 190mV @ 125mA, 2.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1.6W
頻率-過渡: 280MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存8,082

E-L6221AD

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 1.8A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝: 20-SOIC

庫存8,514

EMT18T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 12V 0.5A 6EMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 260MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存2,430

EMT1DXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存8,694

EMT1DXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存8,406

EMT1DXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存8,892

EMT1DXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存77,976

EMT1T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存156,852

EMT2T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存4,014

EMT3T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 PNP (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 140MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存8,928

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message