晶體管

HCT700

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA, 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: -

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HCT700TX

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA, 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: -

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HCT700TXV

TT Electronics/Optek Technology

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT

• 制造商: TT Electronics/Optek Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA, 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: -

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HN1A01FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN1A01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1A01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1A01FU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1B01FDW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SC-74

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HN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SC-74

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HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1B01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW, 210mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1B04FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN1B04FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1B04FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1B04FU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1C01FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN1C01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 800MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1C01FU-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1C01FU-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1C01FYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 4mA, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN1C03FU-B,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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