晶體管

型號	描述	庫存
IXTA56N15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,866
IXTA5N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,186
IXTA5N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,282
IXTA60N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存9,012
IXTA60N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 制造商: IXYS 系列: Trench™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,032
IXTA62N15P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,002
IXTA62N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,706
IXTA64N10L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 357W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AA 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,516
IXTA6N100D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,586
IXTA6N50D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存12,828
IXTA6N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,570
IXTA70N075T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 70A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2725pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,112
IXTA70N085T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 70A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2570pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,326
IXTA72N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 72A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,470
IXTA74N15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 74A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,754
IXTA75N10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A TO-263 制造商: IXYS 系列: PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,618
IXTA76N075T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,474
IXTA76N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 76A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,610
IXTA76P10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 76A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 298W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,840
IXTA80N075L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 80A TO-263 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 357W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AA 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存9,312
IXTA80N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存14,964
IXTA80N10T7 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 (IXTA..7) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存4,536
IXTA80N12T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 325W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,124
IXTA86N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,140
IXTA88N085T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,280
IXTA88N085T7 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263-7 (IXTA..7) 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	庫存8,982
IXTA8N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,402
IXTA8N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,092
IXTA8PN50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,970
IXTA90N055T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 176W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263 (IXTA) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,604

IXTA56N15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 56A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,866

IXTA5N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,186

IXTA5N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,282

IXTA60N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 60A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存9,012

IXTA60N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 60A TO-263

制造商: IXYS
系列: Trench™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,032

IXTA62N15P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 62A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,002

IXTA62N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 62A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,706

IXTA64N10L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 357W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AA
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,516

IXTA6N100D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,586

IXTA6N50D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存12,828

IXTA6N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,570

IXTA70N075T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 70A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2725pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,112

IXTA70N085T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 70A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2570pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,326

IXTA72N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 72A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,470

IXTA74N15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 74A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,754

IXTA75N10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A TO-263

制造商: IXYS
系列: PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,618

IXTA76N075T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 76A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,474

IXTA76N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 76A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,610

IXTA76P10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 76A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 298W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,840

IXTA80N075L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO-263

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 357W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AA
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存9,312

IXTA80N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存14,964

IXTA80N10T7

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7 (IXTA..7)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存4,536

IXTA80N12T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 80A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 325W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,124

IXTA86N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 86A TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,140

IXTA88N085T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 88A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,280

IXTA88N085T7

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263-7 (IXTA..7)
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

庫存8,982

IXTA8N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,402

IXTA8N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,092

IXTA8PN50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,970

IXTA90N055T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 176W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263 (IXTA)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,604

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