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晶體管

記錄 64,903
頁面 1624/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
NVATS5A108PLZT4G
NVATS5A108PLZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 77A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 10.4mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 79.5nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3850pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 72W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: ATPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,682
NVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 27A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 43mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 33.5nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1450pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 48W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: ATPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,010
NVATS5A113PLZT4G
NVATS5A113PLZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 38A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 60W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: ATPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,166
NVATS5A114PLZT4G
NVATS5A114PLZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 92nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4000pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 72W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: ATPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,384
NVATS5A302PLZT4G
NVATS5A302PLZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5400pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 84W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: ATPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,070
NVATS5A304PLZT4G
NVATS5A304PLZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 250nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 13000pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 108W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: ATPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,628
NVATS68301PZT4G
NVATS68301PZT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 31A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 75mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2850pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 84W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,726
NVB072N65S3
NVB072N65S3

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

SUPERFET3 650V D2PAK PKG

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 44A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 82nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 330pF @ 400V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 312W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK-3 (TO-263-3)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,408
NVB082N65S3F
NVB082N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

SUPERFET3 650V D2PAK PKG

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: *
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 4mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 81nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3410pF @ 400V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 313W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK-3 (TO-263-3)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,384
NVB110N65S3F
NVB110N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

SUPERFET3 650V D2PAK PKG

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: FRFET®, SuperFET® III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 30A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 3mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2560pF @ 400V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 240W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D²PAK-3 (TO-263-3)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存4,482
NVB150N65S3F
NVB150N65S3F

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

FET NCH 650V

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: SuperFET® III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 24A
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 540µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1999pF @ 400V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 192W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3 (TO-263)
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,578
NVB25P06T4G
NVB25P06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 27.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1680pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 120W (Tj)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,418
NVB5404NT4G
NVB5404NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 24A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 125nC @ 10V
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 7000pF @ 32V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 5.4W (Ta), 254W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存19,476
NVB5405NT4G
NVB5405NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 16.5A (Ta), 116A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 88nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4000pF @ 32V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 3W (Ta), 150W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存5,706
NVB5426NT4G
NVB5426NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 215W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,118
NVB5860NLT4G
NVB5860NLT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 220A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 220nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 13216pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 283W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存2,898
NVB5860NT4G
NVB5860NT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 220A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 10760pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 283W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,312
NVB60N06T4G
NVB60N06T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 81nC @ 10V
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3220pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存4,302
NVB6410ANT4G
NVB6410ANT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 76A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 188W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存7,416
NVB6411ANT4G
NVB6411ANT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 77A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 217W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存3,798
NVB6412ANT4G
NVB6412ANT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 58A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3500pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 167W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存8,046
NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 42A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 136W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK-3
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存6,732
NVBLS0D5N04M8TXG
NVBLS0D5N04M8TXG

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

NMOS TOLL 40V 0.65 MOHM

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 300A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 296nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 15900pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 429W (Tj)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-HPSOF
  • 包裝/箱: 8-PowerSFN
庫存3,580
NVBLS0D7N04M8TXG
NVBLS0D7N04M8TXG

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 240A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 188nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 12000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 357W (Tj)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-HPSOF
  • 包裝/箱: 8-PowerSFN
庫存17,814
NVC3S5A51PLZT1G
NVC3S5A51PLZT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 262pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 3-CPH
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存50,922
NVC6S5A354PLZT1G
NVC6S5A354PLZT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.9W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 6-CPH
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存28,548
NVC6S5A444NLZT1G
NVC6S5A444NLZT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 供應商設備包裝: -
  • 包裝/箱: -
庫存8,406
NVC6S5A444NLZT2G
NVC6S5A444NLZT2G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • 技術: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 供應商設備包裝: -
  • 包裝/箱: -
庫存8,154
NVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 20A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1260pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,856
NVD2955T4G
NVD2955T4G

ON Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 12A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 750pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 55W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,600